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杨得全;
中国电子学会;
衬底;
机译:关于表面AU液滴和Au / Ga / O簇在GaAs衬底上分离的Au岛/条的径向扩散的Ga_xO_y纳米材料的距离方向生长在GaAs衬底上的分离的Au岛/条外扩散
机译:Ni-Cr-W基高温合金晶界的元素偏析和相析出行为
机译:富含Ni富含Ni的纳米晶合金晶界的故意和无意的元素偏析
机译:(121-0233)Niς5(210)晶界偏析和晶粒边界55种取代元素的晶界偏析和晶界增强的第一原理计算
机译:铋晶界杂质偏析对镍向铜对称扭曲晶界扩散的影响。
机译:空位对铁磁fcc Ni中晶界偏析的影响
机译:Ag-Au,Au-Pd和Cu-Ni合金中的界面偏析:II。 001?5扭曲晶界
机译:具有晶界效应的NiCr合金表面碳纳米管发射体的场发射特性增强
机译:压敏电阻产品的掺杂金属氧化物衬底。 -在表面层熔融扩散之前,通过添加足够的掺杂剂在贱金属氧化物中产生晶界沉积
机译:Ni-Cr-Co Ni-Cr-Co表面处理组合物,用于Ni-Cr-Co合金表面处理方法和表面处理的Ni-Cr-Co合金
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