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马东阁;
中国通信学会;
发光二极管;
机译:具有InAlAs电流阻挡层的GaAs / InAs短周期超晶格/ InP(411)量子点激光二极管的电流注入激光操作
机译:1.3 / spl mu / m垂直腔激光的高反射InGaAsP / InP多层布拉格反射镜的气源分子束外延和光学特性
机译:InP(411)A衬底上生长的1.3-1.5μm波长GaAs / InAs超晶格量子点发光二极管
机译:GaAs-InAs短周期超晶格/ InP(411)A自形成量子点发光二极管,发光1.3-1.5 / splμ/ m
机译:二聚体和环/盘纳米腔中的亚辐射,超辐射和法诺共振。
机译:高亮度Eu复合掺杂的半导体聚合物点具有超窄辐射和长的发光寿命可用于时间门控细胞成像
机译:自发辐射和光提取增强发光 使用部分反射超颖表面腔(pRmC)的二极管
机译:氢注入1.3(微米)垂直腔表面发射激光器,带有电介质和晶片键合Gaas / alas反射镜
机译:具有反射器的具有热辐射功能的发光二极管组件,具有反射器的具有热辐射功能的发光二极管组件及其制造方法
机译:具有偏置电流注入区的超发光二极管
机译:具有量子阱和腔长度相关阈值电流的超发光二极管
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