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面向嵌入式非易失存储器的低功耗电压切换模块

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低功耗嵌入式非易失存储器大多采用FN隧穿方式进行擦写操作,需要在存储单元栅极氧化层上施加强度高达1E9V/m的电场.由于数据保持性及耐久性的限制,存储单元的栅氧化层厚度一般在6nm以上,所需施加电压为9～12V.电压切换电路的功耗在外围电路乃至整个存储器中占很大部分.采用基于0.13μm CMOS工艺的3.3V MOS管改进传统非易失存储器中所需的中压基本切换电路,其功耗降为原来的53％,电路可靠性也更高.本文对高压基本切换电路的改进,解决了因不同初始状态导致工作异常的问题.

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来源
《第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛》|2014年|248-253|共6页
会议地点贵阳
作者
尚靖; 李建成; 李聪; 王震; 谷晓忱;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP333:TP303.1;
关键词
非易失存储器; 嵌入式结构; 电压切换电路; 低功耗技术;

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