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萧继荣;
碲镉汞;
机译:p型HgCdTe上反型层中高迁移率二维电子气中的弱抗局部化作用
机译:自然氧化的p型HgCdTe薄膜的n型表面中二维电子和块状电子的竞争传导机制
机译:反应离子刻蚀(RIE)在外部掺杂的p型HgCdTe中引起p型向n型转化
机译:I.一种新颖的计算方法,用于鉴定配体结合和识别的RNA最小序列要求。二。氟力场参数化和有机氟建模。
机译:整合富集分析:一种检测异质样品中失调途径的新计算方法
机译:LEp(大电子 - 正电子储存环)中标准电弱模型参数的精确测量。
机译:控制或测量设备的压力计,一种用于电子设备的可能的故障瞬间计算方法,涉及以规定的间隔检测参数,并存储检测值以形成时间序列
机译:校正参数的计算方法和计算设备,利用校正参数的图像校正设备和图像校正方法以及用于它们的标准测试样品
机译:具有三角形掺杂的p型基极和漂移区的双极晶体管-在弱掺杂漂移区中具有最小导通路径的导带隙。适合优先注入较轻的电子
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