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潘福泉; 高瑞彬; 关艳霞;
中国电工技术学会电力电子学会;
中国电工技术学会电气节能专业委员会;
深圳航天科技创新研究院;
非对称高频晶闸管; 缓冲层技术; 运行机制; 功率半导体器件;
机译:用于高频应用的MgO缓冲(100)Si上的超导YBa2Cu3O7-缓冲层沉积技术和工艺考虑
机译:用于高频应用的MgO缓冲[100] Si上的超导YBa / sub 2 / Cu / sub 3 / O / sub 7 /-缓冲层沉积技术和工艺考虑
机译:高频非对称晶闸管大功率串联谐振逆变器的分析与设计
机译:使用超薄缓冲层技术进行3D集成的非对称低温粘结结构
机译:通过PHY层和PDCP层技术提高频谱效率。
机译:高频和高频超声评估of动脉冠状动脉手术和and动脉重复手术后radial动脉壁层的比较
机译:Perovskite太阳能电池:用于缓冲层的溅射铟 - 氧化锌,用于钙钛矿/硅4T串太阳能电池(ADV。Interfaces 6/2021)的缓冲层免疫层的缓冲层无半透明钙钛矿光伏器件
机译:用于非对称Heateropolar电流的稳定晶闸管源。
机译:具有高掺杂阳极基极层区域的非对称晶闸管,用于优化阻断和正向电压
机译:在倒装芯片技术中用于生产电路板的半导体芯片具有缓冲体,该缓冲体具有由阻尼材料制成的保护层,该保护层布置在接触表面之间并且在半导体组件结构上方
机译:薄层技术中使用的组件具有一个双层缓冲层,该双层由面向基材的铜层和面向铜铁层的钌层组成
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