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镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究

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根据K掺杂BST(KBST)和Mg掺杂BST(MBST)薄膜的优点,设计K和Mg三明治交替掺杂BST薄膜KBST/MBST/KBST(K/M/K)和MB ST/KB ST/MBST(M/K/M),用溶胶-凝胶(sol-gel)法在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备该薄膜,研究其介电特性.薄膜为立方钙钛矿结构,平均晶粒尺寸16～20 nm.交替掺杂有效整合K掺杂和Mg掺杂,为受主掺杂,晶格常数增大.K/M/K掺杂显著增强晶化、促进薄膜生长,M/K/M掺杂明显细化晶粒、改善界面特性.20 V下C-V测试表明,KBST、MBST、M/K/M型及K/M/K型薄膜的最大电容依次为91、38、37和47 pF,调谐率64％、27％、38％和42％及介电损耗2.90％、1.67％、1.33％和1.58％;随膜厚增加,三者减小,调谐率与损耗之比值增大.M/K/M型薄膜具有最佳综合介电性能,可满足微波调谐需要.对有关机理进行了讨论.

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来源
《第十八届全国高技术陶瓷学术年会》|2014年|32-35|共4页
会议地点广东清远
作者
Liao Jiaxuan; 廖家轩; Yang Hanyu; 杨函于; Wang Sizhe; 王思哲; Zhang Weifang; 张未芳; Huang Jiaqi; 黄家奇; Wei Xiongbang; 魏雄邦; Wu Mengqiang; 吴孟强;
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作者单位

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TB341;
关键词
钛酸锶钡薄膜; 溶胶-凝胶法; 镁掺杂; 钾掺杂; 介电特性;

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