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鑫单晶项目研究进展

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研究阐明：侧部长晶功率过高和过低都会对晶体质量产生影响，前者会引起外围锭位错增殖过快，后者会引起中间锭产生阴影；均匀对称的热场和散热方式对鑫单晶晶体质量同样至关重要。

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来源
《第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会》|2017年|1-10|共10页
会议地点徐州
作者
郭晓琛;
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作者单位

中国可再生能源学会;

上海市太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.05;
关键词
单晶硅材料; 制备工艺; 参数整定; 位错增殖;

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