PERC电池衰减问题国际进展综述

摘要

在单晶与多晶硅中都存在非金属杂质引起的光衰,间隙金属杂质引起的光衰,金属沉淀溶解引起的光衰等多种光衰,LeTID可以通过吸杂处理(P/AI/P+AI),光照+温度处理(强光+低温;强光+高温;弱光+常温),降低烧结温度;减缓烧结的升降温过程等手段减缓或部分去除。

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