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铝合金上电镀厚镉及中国散粒中子源耦合层制造

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散裂中子源利用荷能质子轰击重核后产生高通量中子.慢化器是调控中子的关键部件.此前国际上用铆钉铆接镉皮和铝合金部件,存在慢化剂泄漏的潜在风险,同时铆钉铆接处也给物理建模增加难度.常规电镀的镀层厚度是微米级,在活性的铝合金上施加一层厚达1mm的镉镀层难度很大.本文介绍了铝合金上电镀厚镉的无氰电镀方法、参数及其中国散粒中子源耦合层的制造.

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来源
《中国工程院化工、冶金与材料工程第十一届学术会议》|2016年|469-475|共7页
会议地点宁波
作者
LU Chunhai; 陆春海; 徐真; XU Zhen; CHEN Min; 陈敏; HU Chunming; 胡春明; ZHANG Qi; 张琪; QIU Jie; 邱杰; 何亮; HE Liang; TANG Qingfeng; 唐清枫;
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作者单位

中国工程院;

浙江省人民政府;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ153.17;
关键词
铝合金; 电镀厚镉; 无氰电镀; 散裂中子源耦合层;

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