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DONG Zezheng; 董泽政; WU Xinke; 吴新科; SHENG Kuang; 盛况;
中国电源学会;
金属-氧化物半导体场效应晶体管; 碳化硅; 共源极电感; 开关损耗; 热成像分析;
机译:寄生电感和电容辅助有源栅极驱动技术可最大程度地降低SiC MOSFET的开关损耗
机译:考虑共源电感的SiC MOSFET高关态阻抗栅极驱动器,以消除串扰电压
机译:Ge共掺杂外延对4H-SiC基MPS二极管和沟道MOSFET的影响的研究
机译:共源极电感对SiC MOSFET开关损耗的影响
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:短路保护例如对于MOSFET,在IGBT的情况下在发射极连接处或在电感的MOSFET的源极连接处通过电压抽头提供短路保护
机译:基于sic的uMOSFET的制备方法和基于sic的uMOSFET
机译:基于sic的di-MOSFET的制备方法和基于sic的di-MOSFET
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