氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、导热性能好、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性,同时氮化镓(GaN)材料可以与铝镓氮(AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气异质结沟道,因此特别适用于高压、大功率和高温应用.本文提出了一种具有负离子注入钝化层的GaN基异质结场效应晶体管(Negative Ion Implantation Passivation GaN HFET).该新结构器件的特点是在GaN HFETs器件栅极漏端的钝化层内引入一层具有负离子注入的区域。该负离子注入区通过耗尽部分漏端沟道的二维电子气形成LDD(low -density drain)结构，使沟道电场更加均匀的分布以及扩展耗尽区宽度，从而达到提升器件耐压的目的。
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