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一种应用于太赫兹放大器的增益增强技术

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随着CMOS工艺技术的发展,其截至频率Ft已达到了上百GHz.然而由于米勒电容的存在,放大器的功率增益随着频率增高下降很快,这使得CMOS在太赫兹频段应用遇到严重挑战.在电容中和放大器增益增强技术的基础上,本论文提出了电感增益增强技术,进一步提高CMOS放大器在0.1THz频率附近的功率增益.该技术对利用CMOS工艺实现太赫兹通信系统具有重要积极作用.

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来源
《第一届全国太赫兹科学技术学术年会》|2015年|253-254|共2页
会议地点成都
作者
陈林辉; 李连鸣; 崔铁军;
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作者单位

中国电子学会;

太赫兹科学协同创新中心;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.16;
关键词
放大器; 太赫兹波段; 互补金属氧化物半导体; 功率增益;

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