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近红外光对硫化铋纳米片气体传感器气敏性能影响的研究

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过渡金属硫化物的气敏性能已经被广泛的研究,硫化铋是一种斜方晶系半导体禁带宽度为1.3eV.本文利用溶剂热法合成了Bi2S3纳米片,在印有银叉指电极的氧化铝陶瓷片上旋涂制备出硫化铋纳米片薄膜,并采用Pb(NO3)2溶液对其进行表面处理.研究了不同近红外光强下Bi2S3纳米片半导体气体传感器对低浓度NO2的气敏性能,在近红外光强为7.8uW/cm2时传感器有较优的气敏性能,室温下对5ppm NO2的响应(Rg/Ra)为138.8,响应时间和恢复时间为19.41s和21.6s,最小探测率下限可达19.5ppb;与暗态相比光照下Bi2S3纳米片气敏传感器的性能得到了很大的提升.

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来源
《第十四届全国敏感元件与传感器学术会议》|2016年|105-106|共2页
会议地点成都
作者
Kan Hao; 阚皞; 宋志龙; Song Zhilong; Liu Jingyao; 刘竞尧; Zhang Wenkai; 张文楷; Wang Yang; 王阳; Yu Haoxiong; 于号雄; 刘欢; Liu Huan; Jiang Shenglin; 姜胜林;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

中国生物工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.2:TN304.055;
关键词
硫化铋纳米片薄膜; 溶剂热法; 气体传感器; 气敏性能; 近红外光;

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