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2μmGaSb基单模量子阱激光器设计

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采用MBE生长InGaAsSb应变量子阱,AlGaAsSb作为波导层和限制层,Al组分分别为0.4、0.9.采用双光束全息曝光法制备折射率导引侧向耦合分布反馈激光器,优化了条形波导的形状完成了二阶光栅的制备.激光器室温单纵模连续工作,单面输出功率8mW(未镀腔面膜）,边模抑制比23dB,斜率效率93mW/A,激射波长随温度的漂移系数0.05nm/mA.

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|146|共1页
会议地点太原
作者
杨成奥; 廖永平; 柴小力; 谢圣文; 张宇; 徐应强; 牛智川;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN365:TN305;
关键词
半导体激光器; 单模量子阱; 锑化镓基; 制备工艺;

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