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基于3D Si SOI PIN像素微剂量探测器的低噪声前端读出电路设计

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根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数,设计了一种基于GF chrt018ICCMOS工艺的低功耗、低噪声前端读出芯片.该读出电路主要包括电荷灵敏前放(CSP)、极零相消(P-Z)、有源二阶滤波网络(CR-RC2)以及峰值保持电路和漏电流补偿等结构,总体实现了对探测器输出电荷信号的积分与放大、滤波整形、峰值保持等功能.采用PMOS单端输入的折叠共源共栅放大器作为电荷灵敏前放的核心运放,峰值保持电路包括PMOS电流镜构成的整流器与简单跨导放大器以及保持电容.设计完成的读出电路动态范围为5fC～500fC,电路灵敏度约为63mV/MeV,单通道功耗低于3mW,信噪比远大于20.

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来源
《第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会》||64-74|共11页
会议地点成都
作者
YUAN Yuan; 袁媛; 刘书焕; LIU Shuhuan; LONG Biao; 龙彪; LIU Xiaobo; 刘晓波; LI Haowei; 李浩伟; ZHANG Guohe; 张国和; 杜雪成; DU Xuecheng; HE Chaohui; 贺朝会;
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作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
微剂量探测器; 读出芯片; 电路设计; 灵敏度;

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