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NAND Flash Memory Burn-In Test Solutions

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本文讲述了稳定的＆高质量在市场避免缺点减少开始的缺点,在高临时雇员和高电压的所有细胞写/阅读,分析了在高临时雇员和高电压的所有细胞消除/写/阅读,100%烧伤-在必需的稳定高质量中在市场避免缺点减少开始的缺点.

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来源
《2017中国集成电路产业发展研讨会暨第二十届中国集成电路制造年会》|2017年|108-116|共9页
会议地点南京
作者
Kentaro Yano; Hisao Horibe; Kenji Yamamoto;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类存贮器;
关键词
存储器; 损毁测试; 技术改进;

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