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一款高稳定性带隙基准源的设计与分析

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本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55℃～125℃得到的温度漂移指标为37.58ppm/℃,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.

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来源
《第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛》|2016年|212-217|共6页
会议地点西安
作者
孙海艳; 刘尧;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类设计;
关键词
带隙基准源; 偏置电路; 两级运放电路; 设计理念; 温度漂移; 电源抑制比;

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