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CMOS数字集成电路老炼条件的选择

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本文从集成电路的失效模式、电路特点、老炼设备特点、老炼试验的要求等方面进行深入探讨,分析了其失效机理以及激发条件，指出对功能复杂的CMOS数字集成电路，应综合利用测试资源、静态老炼、动态老炼、合理考虑负载电阻、动态老炼与合理利用瞬态大电流效应相结合，这样才有可能最大限度地剔除影响电路长期可靠性的缺陷，最大限度地剔除早期失效器件。

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来源
《2013工业与信息化产品环境技术研讨会》|2013年|32-3543|共5页
会议地点云南大理
作者
LI Xing-hong; 李兴鸿; ZHAO Chun-rong; 赵春荣; ZHAO Jun-ping; 赵俊萍;
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作者单位

中国电子学会;

环境技术杂志社;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN431.2:TN407;
关键词
微电子学; 数字集成电路; 老炼试验; 失效机理; 控制技术;

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