蓝宝石衬底上的高性能AlGaN/GaN HEMT研制与分析

著录项

• 来源
  《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|101-103|共3页
• 会议地点 大连
• 作者

  韩婷婷; 敦少博; 吕元杰; 顾国栋; 刘玉贵; 王元刚; 徐鹏; 宋旭波; 尹甲运; 冯志红;

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• 作者单位

  中国半导体行业协会;

  中国电子科技集团公司第十三研究所;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 TN325.3;
• 关键词

  高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 氮化镓铝; 蓝宝石衬底; 性能表征;