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硼磷补偿晶体硅的性能及其光伏应用

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摘要

物理冶金法提纯硅(UMG-Si)往往含有高浓度的硼和磷,本文采用直拉法生长了两根硼磷不同浓度掺杂补偿的硅单晶体,并通过二次离子质谱法(SIMS)和微波光电导衰减法(MW-PCD)测试不同硅晶体位置的硼磷浓度,为生产高性能太阳能电池提供参考.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|261|共1页
会议地点北京
作者
肖承全; 余学功; 杨德仁;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.053;
关键词
晶体硅; 直拉工艺; 化学成分; 质量控制;

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