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倒装双结太阳能电池的隧穿结优化

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利用MOCVD设备进行倒装双结Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物太阳能电池隧穿结的外延优化.XRD、SEM对样品结构分析,结果表明晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需要的太阳能电池片,I-V电学测试结果表明,隧穿结带隙、厚度和掺杂是影响隧穿效应的重要因素.在隧穿结区厚度为40 nm、掺杂浓度p型高达7×1019cm-3,n型高达3×1019cm-3条件下,隧穿结峰值电流能够满足千倍聚光条件下大隧穿电流的要求.在未蒸镀减反射层时,AM1.5D、1000倍聚光、25、Low-AOD条件下,测得倒装双结太阳能电池的Voc＞2.7 eV,Isc＞ll A,FF＞80％,Eff％＞23.8％.此结果为将来实现倒装三结太阳能电池光电转化效率超过42％打下了坚实的基础.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|203-214|共12页
会议地点北京
作者
蔡文必; 毕京锋; 林桂江; 刘冠洲; 刘建庆; 宋明辉; 丁杰;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.3;
关键词
双结太阳能电池; 隧穿结结构; 外延生长; 光电性能;

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