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不同SILAR次数对铜铟掺杂CdS QDSCs性能的影响

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介绍了在TiO2介孔膜上制备Cu,In双掺杂CdS量子点(TiO2/Cu-CdS/In-CdS),且着重介绍了不同SILAR次数对铜铟双掺杂CdS量子点敏化太阳电池性能的影响.实验结果表明:当Cu-CdS的掺杂比例为1:100,In-CdS的掺杂比例为1:5时,短路电流密度、开路电压和光电转换效率随Cu-CdS的SILAR次数、In-CdS的SILAR次数的增加而增加.当Cu-CdS和In-CdS的SILAR次数均为4次(TiO2/Cu-CdS(4)/In-CdS(4))时,电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率均达到最高.进一步增加SILAR次数,电池的上述参数均明显降低.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|296-303|共8页
会议地点北京
作者
李琳; 邹小平; 周洪全; 高彦艳; 何胜; 滕功清;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.5;
关键词
量子点敏化太阳电池; 掺杂改性; 连续离子层吸附与反应法; 光电性能;

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