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利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

摘要

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提高迁移率,减少对近红外光的吸收,以此来权衡光学与电学特性,实现让更多的光尤其是红外光透过并进入吸收层来提升电池效率.

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