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化学水溶液法制备Cd1-xZnxS薄膜及其性质

摘要

采用化学水溶液法,氨水作为络合剂,制备了Cd1-xZnxS薄膜,获得了制备Cd1-xZnxS薄膜生长的最佳条件,并对其生长机理进行了分析.对最佳条件下的样品进行了XRD、电学性质分析以及组分分析,并计算了薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea.结果表明化学水浴法可以制备得到性能良好的低锌含量的Cd0.9Zn0.1S薄膜,这种薄膜材料具有较高的光透过率,结构性能良好,电阻率低,禁带宽度高于CdS,非常适于做窗口层材料.

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