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从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步

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对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析.通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步.极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极—发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅—源极阈值电压的离散性在缩小,栅—源极阈值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高.

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来源
《中国电源学会第二十届学术年会》|2013年|939-952|共14页
会议地点杭州
作者
陈永真; 陈之勃;
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作者单位

中国电源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
绝缘栅双极型晶体管; 阻断性能; 通用型模块; 栅极阈值电压; 源极阈值电压; 抗电磁干扰能力; 开关性能;

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