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GaXInl－XP的发光特性

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该研究使用了有机金属化合物汽相沉积（MOCVD）技术制备的高质量GaXInl－XP发光材料。研究结果表明，GaxInl－XP的直接向间接跃迁的转变点为X≈0．69；在波长相同，掺同样杂质到同样水平的条件下，GaInP的发光效率是GaAsP的4～5倍，GaInP是高效红色、黄色和黄绿色半导体发光材料。（本刊录）

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来源
《第四届全国发光学术会议》|1986年|13-22|共10页
会议地点上海
作者
元金山;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.01;
关键词
发光材料; 发光特性; 发光效率; 半导体材料; 发光光谱; 镓化合物; 发光强度; 铟化合物; 磷化合物;

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