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GaN HEMT宽带功率放大器

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本文研究了3-8GHz GaN宽带功率放大器设计的相关问题,介绍了射频功率放大器的理论基础及功放的宽带技术,并设计了3-8GHz的驱动级宽带射频功率放大器.首先介绍了射频放大器参数指标,介绍了阻抗匹配的相关知识;通过查阅相关的文献资料,整理了目前设计宽带射频放大器常用的几种方法,并针对每一种实现宽带方法进行简单的分析.通过理论分析,本文提出了两种实现宽带功能的新型匹配拓扑结构,第一种为新型多枝节匹配结构,另一种为新型并联负反馈匹配结构.经过实物加工和大信号、小信号测试结果分析,得出在本设计带宽中多枝节匹配结构增益更高,增益平坦度更小.接着使用ADS软件设计一款3-8GHz的宽带功率放大电路.采用了TriQuint半导体公司的GaN HEMT裸管TGF2023-2-02,功率放大器工作在AB类,直流偏置为Vds=28V,Vgs=-2.45V.仿真结果显示,在工作带宽范围内宽带功率放大器性能良好.接下来进行加工测试,并对仿真和测试结果进行对比和分析.

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来源
《杭州电子科技大学第八届研究生IT创新学术论坛》|2015年|291-310|共20页
会议地点杭州
作者
陈帅; 程知群;
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作者单位

杭州电子科技大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN722.75:TN702;
关键词
功率放大器; 结构设计; 阻抗匹配; 宽带功能;

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