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PMOS剂量计的退火特性研究

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摘要

研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现。结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大、相同退火温度下，正偏置与负偏置相比有加退火的作用，其退火幅度也较大。在180°C，零偏条件下获得了最快的100℅的退火效果；用模型讨论了实验结果。

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来源
《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|1999年|403-408|共6页
会议地点扬州
作者
范隆; 任迪远; 张国强; 艾尔肯;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类放射性计量学与计量技术;
关键词
PMOS剂量计; 辐照退火; 退火速率; 退火幅度;

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1. PMOS剂量计的退火特性 [J] . 范隆 ,任迪远 ,张国强 . 半导体学报：英文版 . 2000,第4期
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