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交替应力下热载流子导致的MOS器件退化特性研究

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本论文对深亚微米MOS器件中热载流子效应进行了研究.讨论了交替应力下的热载流子效应对器件退化性能的影响.本文通过实验指出,动态应力退化特性并不是静态应力特性的简单再现,而是静态应力研究中发现的各种效应的综合体现.器件的总退化量基本符合以界面态产生为主的退化规律.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|545-548|共4页
会议地点昆明
作者
刘红侠; 郝跃; 张卫东;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOS器件; 热载流子; 退化性能; 交替应力; 器件退化;

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