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斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响

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运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉积原子入射角分布采用一般金属溅射中常见的余弦分布,就入射角对薄膜结构的影响进行了模拟实验研究.结果表明:斜入射的引入都使薄膜沉积相对于简单垂直入射时表面粗糙度增大,同时堆垛密度减小,且两种入射条件下堆垛密度都随沉积层高度增加而减小,反映出典型的原子自阴影效应作用的结果;斜入射的引入还使膜内空位和孪晶缺陷增多.对斜入射和垂直入射沉积的单原子的动能、势能及其轨迹进行了跟踪分析和比较,并结合上述结果进行了讨论.

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来源
《2002年中国材料研讨会》|2002年|1880-1883|共4页
会议地点北京
作者
周耐根; 周浪; 朱圣龙;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
入射角; 分子动力学; 铜薄膜; 物理气相沉积; 薄膜结构;

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