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ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10<'-4>Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90﹪以上.

著录项

来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|1131-1133|共3页
会议地点秦皇岛
作者
余旭浒; 马瑾; 计峰; 王玉恒; 宗福建; 张锡健; 程传福; 马洪磊;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;溅射;
关键词
ZnO:Ga; 光电特性; 透明导电膜; 溅射;

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