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铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

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为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO<,2>Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol﹪Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的T<,max>值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

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来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|1315-1319|共5页
会议地点秦皇岛
作者
姜胜林; 曾亦可; 刘少波; 刘梅冬;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类其他半导体材料;掺杂;
关键词
铅掺杂; 结晶性能; 铁电薄膜; 弛豫; 弥散相变; PBST薄膜;

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