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陈俊; 朱世富; 赵北君; 高德友; 魏昭荣; 李含冬; 韦永林; 唐世红;
中国仪器仪表学会;
中国金属学会;
中国稀土学会;
中国复合材料学会;
中国有色金属学会;
晶体生长; 蚀坑密度; 布里奇曼法; 晶体定向;
机译:(111)B表面上CdZnTe晶体中沉淀物的蚀坑
机译:退火(111)Cdznte表面上热蚀坑的类型和形成机理
机译:Si(110)/ SiO_2界面处的界面态能量分布和P_b缺陷:与(111)和(100)硅取向的比较
机译:β-Fesi_2薄膜的晶体生长(100),(110)和(111)平面的Si和yittrai稳定的氧化锆基材
机译:从八面体开放结构到八面体四面体开放结构:锰氧化物和锰(含氧和/或羟基)磷酸盐的合成,表征和催化。
机译:Ge / Si(001)量子点环在湿蚀坑边缘形成的形貌演化
机译:单晶Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极中表面原子结构与可逆氢吸附-解吸过程的相关性原子表面结构与单晶氢可逆吸附-解吸之间的相关性晶体Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极
机译:热氧化(100),(110),(111),(511)硅中si-siO2界面电荷的研究
机译:半导体激光器,其具有(100)顶表面和在水平<01-1>轴方向上延伸的条纹脊,并具有侧壁表面(110)和(111)面之间的三角形区域
机译:杂富勒烯和杂富勒烯酸四面体对称形貌与富勒烯和杂富勒烯衍生物四面体,八面体和二十面体之间的新关系-对称形貌
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