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约束刻蚀剂层技术用于p型硅表面电化学微加工的研究

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硅是微机电系统中(MEMS)应用最为广泛也是最为重要的材料,硅的微加工已经成为MEMS中的核心技术之一.光刻技术是目前硅微加工的主流技术,近来许多新技术不断涌现,意图寻找更为简单可控、经济且可以实现三维结构加工的微加工方法.电化学微加工技术作为一种很有潜力的加工途径,在硅的微加工领域中发挥了越来越重要的作用,具有代表性的技术包括超短脉冲微电解技术;基于扫描电化学显微镜(SECM)的电化学加工技术;电化学阳极溶解技术以及近年来兴起的扫描探针光刻技术(SPL)等.

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来源
《第十三次全国电化学会议》|2005年|620-621|共2页
会议地点广州
作者
张力; 汤儆; 马信洲; 田中群; 田昭武; 曲东升; 丁庆勇; 孙立宁;
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作者单位

中国化学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
约束刻蚀剂层技术; 电化学; 微加工; 硅;

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