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稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究

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本文运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验吻合.在包含两个Cr原子的体系中Cr原子之间是铁磁性耦合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近.对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这和晶体的能带计算方法得到的结果一致.

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来源
《中国科协2005年学术年会》|2005年|143-147|共5页
会议地点乌鲁木齐
作者
蔺何; 段海明;
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作者单位

中国科学技术协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
计算物理学; 稀磁半导体; 密度泛函理论; 原子团模型; 离散变分;

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