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铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响

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为了提高铜布线化学机械抛光效果,对其抛光工艺进行了研究.采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光,讨论了抛光压力、温度、氧化剂含量、流量等对抛光速率的影响.结果表明,不降低表面质量,在抛光压力为0.15MPa时,抛光片的抛光效果和抛光速率达到最佳;在20～30°C时,能较好地平衡化学作用与机械作用;抛光液流量在200mL/min时,既节约了生产成本又能提高效率;当氧化剂体积分数在2％～3％时,抛光液既保持了较好的稳定性,又能保证氧化能力,从而提高抛光速率。

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来源
《2006全国摩擦学学术会议》|2006年|113-114119|共3页
会议地点哈尔滨
作者
王胜利; 袁育杰; 刘玉岭;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类表面处理;摩擦与磨损;
关键词
铜布线; 化学机械抛光; 抛光速率; 二氧化硅胶体; 抛光压力;

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