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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

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本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10mm深度的部分。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|891-894|共4页
会议地点广州
作者
丁瑞雪; 杨银堂; 韩茹;
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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
碳化硅材料; 感应耦合等离子体; 刻蚀工艺; 光刻水平; ICP功率; 偏置电压;

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