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中国电子学会;
广州市科协;
Si1-xGex:C合金薄膜; 化学气相淀积; 外延生长; 生长温度; 载流子浓度; X射线衍射;
机译:平面溅射制备的MnSb薄膜的外延生长:衬底温度和偏压对外延生长的影响
机译:反应热化学气相沉积法在Si(001)晶片上低温外延生长高质量的Si1-xGex(x≥0.99)薄膜
机译:缓冲层生长温度对等离子体辅助分子束外延生长在多孔硅上生长的ZnO薄膜性能的影响
机译:在波纹基板上外延生长Si / Si1-xGex薄膜以提高pMOSFET的性能
机译:硅给体(DX中心)和生长温度对分子束外延生长的砷化镓/砷化镓铝异质结构的影响。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:生长温度对等离子体辅助分子束外延生长的外延GaN薄膜缺陷的影响
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:外延生长感受器,外延生长装置和使用其的外延生长方法
机译:外延生长的地层的模量生长状态测量和用于外延生长的地层的生长状态测量设备无效
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