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基于正向体效应技术的低压低功耗CMOS放大器设计

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摘要

首先介绍了集成电路设计中实现低压低功耗的重要性,然后介绍了正向体效应技术,并采用正向体效应技术降低MOS管阈值电压,设计了一种二级低压低功耗放大器。最后通过电路仿真,在0.8V低工作电压下获得直流开环增益为56.3dB,3dB带宽为20.4 kHz,相位裕度为520,其功耗为23.73μW。

著录项

来源
《全国第20届计算机技术与应用（CACIS）学术会议》|2009年|1032-1034|共3页
会议地点南宁
作者
李建峰; 窦建华; 潘敏; 应隽;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国系统仿真学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类放大器：按工作原理分;场效应型;
关键词
运算放大器; 正向体效应技术; 集成电路设计; 阈值电压; 电路仿真;

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