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单粒子效应研究中质子与硅核反应数据计算与分析

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质子与硅的核反应数据对于质子单粒子效应、加速器抗质子辐射评估试验研究都很有意义。一直以来，国内外质子单粒子效应研究主要是利用现有评价数据库或计算软件内嵌模型计算的数据，两种方式下的反冲核数据准确性都有待提高。本文基于现有实验核数据库中p+28,natSi的核反应数据并结合相应的核反应理论模型计算了200MeV以下p+28Si全套核反应数据，如去弹截面，弹散/非弹角分布，次级轻粒子(p，a，n，d，3He，t)出射截面、能谱，反冲核产生截面与能谱等数据，并与现有的实验及评价核数据进行了对比评估，对比表明计算数据与实验数据吻合很好，且反冲核截面数据优于ENDB/B-Ⅶ.0库数据。这项工作为质子单粒子效应物理机理及模型研究以及器件质子单粒子翻转率的理论评估奠定了数据基础。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|149-155|共7页
会议地点三亚
作者
何安林; 高丽娟; 范辉; 郭刚; 韩银录; 陈泉; 沈东军; 刘建成; 史淑廷; 惠宁; 蔡莉;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O571.422;
关键词
单粒子效应; 质子; 硅元素; 核反应;

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