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有机前驱体热解法合成单晶氮化硅纳米线

摘要

在高纯氮气气氛中采用有机前驱体热解法合成了氮化硅纳米线,对氮化硅纳米线所进行的详细的微观表征表明它们具有良好的单晶特性,其生长沿着α-Si3N4的[10/10]方向并受VS机制所控制。在室温下用325 nm激光对样品激发,观察到样品有很宽的强光致发光带,在实验中用肉眼即能观察到从样品所发出的强光。考虑到通过稀土掺杂(如引入Nd、Eu、Er和Yb)等手段能够降低氮化硅纳米结构的能带从而进一步调控其光学性能,可以相信氮化硅纳米线在防伪发光材料领域将有着广阔的开发潜力。

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