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基于65nm CMOS工艺的60GHz宽带下变频混频器

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基于一种65rim CMOS工艺,本文实现了一款60GHz宽带下变频混频器.该混频器采用Gilbert单元结构,为提高混频器的增益、带宽和噪声性能,在跨导管与开关管之间引入级间电感.测试结果表明,在48GHz0dBm本振信号的作用下,该混频器的转换增益约为14dB,3dB带宽大于4GHz,输入1dB压缩点为-10dBm.此外,仿真结果表明,噪声系数为12dB,输入三阶交调截点为2.5dBm.在1.2V电源电压下,混频器核心Gilbert单元电路功耗为13.2mW,输出缓冲器功耗为25.2mW.芯片面积为0.9×0.76mm2.

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来源
《2013年全国微波毫米波会议》|2013年|1271-1274|共4页
会议地点重庆
作者
Jun Shi; 史珺; Lianming Li; 李连鸣; Tiejun Cui; 崔铁军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类变频器、混频器;
关键词
混频器; 结构设计; 毫米波电路; 级间电感;

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