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单粒子瞬态脉冲窄化的试验测试电路设计

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随着集成电路的迅速发展,器件尺寸在不断地缩小,单粒子瞬态(SET)特性也发生着深刻的变化.在新的工艺下,SET将成为系统软错误(SER)的主要因素,SET已成为高频集成电路抗辐射加固的重点.其中单粒子瞬态脉冲窄化(SET Quenching)在65nm及以下工艺将成为普遍现象,这使得在研究SET电荷收集机理方面出现许多新的情况.此设计是在65nm工艺下提出多节点电荷收集导致SET脉冲窄化的试验测量电路,并在已有技术的基础之上提出了新的SET Quenching测量方法,突破了新工艺下SET Quenching的测量难题.

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来源
《第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛》|2014年|607-611|共5页
会议地点贵阳
作者
薛召召; 陈跃跃; 陈建军; 梁斌;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测试和检验;
关键词
集成电路; 单粒子瞬态脉冲窄化; 测试电路; 电荷收集机理;

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