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基于红外检测的GIS内部过热缺陷严重程度的评估方法研究

摘要

为研究基于红外检测的GIS内部过热缺陷严重程度的评估方法,分别设置高、低位导体过热缺陷模型,开展了不同电流下的GIS温升实验.试验中,采用电子式测温技术和红外热诊断技术分别对GIS内部导体以及外壳的温度进行检测分析.实验结果表明,高位导体热缺陷下内部导体和外壳温升均高于低位导体热缺陷,导体和外壳温升随着离故障点的距离增加而下降.导体故障点温升与正常运行温升差值和外壳故障点温升与正常运行温升差值的比值为常数,实现了导体温升的反推过程,获得了评估过热缺陷严重程度的方法.

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