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IGZO手机屏异常断电电荷残留的研究

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摘要

IGZO TFT电子迁移率高于a-Si:H TFT,漏电流远低于a-Si:H TFT,在增大开口率、降低功耗的同时,需要注意手机屏异常掉电时屏内电荷残留情况.在这样的背景下,就手机屏掉电方式作出分析,讨论在手机主板异常断电情况下的电荷残留状况.并提出断电时电路模型,对断电时的电荷清除动作进行研究.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|218-223|共6页
会议地点西安
作者
LIU Deyu; 刘德钰; LIU Bin; 刘彬; 吴建敏;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类显示设备、显示器;
关键词
手机屏; 异常断电; 电荷残留; 技术改进;

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