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不同氧分压生长的双有源层对顶栅a-IGZO TFT的影响

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本文研究了a-IGZO双有源层中不同氧分压下生长的高氧层对顶栅自对准TFT电学特性及温度性的影响.在低氧层保证较高迁移率的同时,选择合适氧分压的高氧层可有效调节有源层内的载流子浓度,进而得到适当的阈值电压.其中高氧层和低氧层的氩氧比分别为45/5和49/1的双有源层TFT电学性能优异,同时在正、负偏置栅应力下均表现出良好的稳定性.优化N2O处理时间和高氧/低氧层的厚度比后,器件性能得以进一步优化,其中μFE=13.4cm2/Vs,Vth=-2.55V,SS=0.6mV/dec.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|44-48|共5页
会议地点西安
作者
ZHANG Yuqing; 张羽晴; DENG Xuan; 邓轩; YANG Huan; 杨欢; CHANG Baozhu; 常宝柱; ZHANG Shengdong; 张盛东;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;
关键词
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管; 氧分压; 双有源层; 电学性能;

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