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一种基于DOE的干蚀刻工艺优化

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文中通过使用假设检验、DOE实验设计方法对干刻工艺中Ti残的不良率进行研究,给出了在高分辨率产品下,Ti残留造成的不良率与主压力、source/bias功率的变化关系.结果表明,主蚀刻压力在10mT和20mT下,对Ti残留影响不大,source/bias=5/4KW时,Ti残留状况最少,为今后的生产、高分辨率产品的开发应用提供了参考意见.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|367-369|共3页
会议地点西安
作者
XU Xipin; 徐希嫔; YANG Xu; 杨旭;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN873.93;
关键词
液晶显示器; 干蚀刻工艺; 参数优化;

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