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首页> 中文会议>2018中国显示学术会议 >基于高量子产率CdSe/CdS核冠结构纳米片的电致发光器件

基于高量子产率CdSe/CdS核冠结构纳米片的电致发光器件

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纳米片相较于量子点材料,具有更窄的半峰宽,所得的激发光具有更高的纯色性.本文中通过调控合成CdSe纳米片的反应物质量以及投料比,制备出高荧光量子产率的四层结构(4ML)的CdSe纳米片和CdSe/CdS核冠结构纳米片,其中核冠结构纳米片的荧光量子产率高达72％.随后,将该材料通过旋涂的工艺制备成正置电致发光器件,并对其电学性能进行了表征.结果显示,器件的发光峰位与材料的发光峰位无明显差异,半峰宽均为10nm,最高亮度为1036cd/m2,最大发光效率1.17cd/A,对应的最大外量子效率为0.32％.

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