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各向异性异质材料中的Goos-H(a)nchen位移研究

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对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz＜0的情况下,频率ω分布在4～6 GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μ2|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大.

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来源
《2016苏鲁黑浙四省声学技术学术会议》|2016年|708-714|共7页
会议地点江苏扬州
作者
Huang Yanyan; 黄艳艳; Yu Zhongwei; 于忠卫; Ji Zhengyuan; 吉正源; Qian Yingjia; 钱盈家;
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作者单位

江苏省声学学会;

山东省声学学会;

黑龙江省声学学会;

浙江省声学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类功能材料;
关键词
异质材料; 准左手化介质; 电磁波负折射率; 古斯-汉森位移; 各向异性;

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