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AZO@Ti02导电晶须制备工艺优化及其应用

摘要

采用正交试验法对AZO@Ti02导电晶须的制备工艺进行了优化.通过改变包覆比(Ti/Zn)、掺杂比(Al/Zn)、pH值、煅烧温度4大因素,结合反应产物的测试表征,得出合成AZO@Ti02导电晶须的最佳工艺条件.实验范围内的最佳制备方案:包覆比(Zn/Ti)35%,掺杂比(A1/Zn)4%,煅烧温度600°C,pH=1O,该工艺条件下制备的AZO@Ti02导电晶须表面电阻率为7.6452K Q cm,白度为67.8.制得的AZO@Ti02导电晶须添加到纺丝溶液中,采用湿法纺丝制备具有良好的导电性能的PAN白色复合导电纤维.

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